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知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 石川 法人; 小檜山 守*; 稲見 隆*; 奥田 重雄*
Journal of Nuclear Materials, 297(3), p.355 - 357, 2001/09
被引用回数：217 パーセンタイル：98.84(Materials Science, Multidisciplinary)金ナノ結晶に60MeV炭素イオンを照射し、そのときの欠陥の蓄積及び回復挙動について調べた。実験結果から、ナノ結晶中に照射によって生成される欠陥は、熱的に不安定であることがわかった。このことは、ナノ結晶中に非常に多く割合の結晶粒界が存在することで説明できる。今回の結果は、ナノ結晶材料が耐照射材料として利用できる可能性を示唆するものである。
石川 法人; 知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 鶴 浩二*; 道上 修*
Journal of Nuclear Materials, 258-263, p.1924 - 1928, 1998/00
被引用回数：9 パーセンタイル：60.32(Materials Science, Multidisciplinary)高温超伝導体において低温(100K)でイオン照射を行い、電気抵抗、臨界温度の照射量依存性及び300Kまで温度上昇したときの欠陥のアニーリング効果について調べた。その結果、イオン種が変わってもエネルギーがMeV領域のときは、電気抵抗は欠陥密度のみに依存することがわかった。それに対して、臨界温度は欠陥密度のみによらず、試料中の欠陥の空間分布による可能性を見出した。300Kまでアニーリングすることによるアニーリング効果は、測定誤差内で、イオン種に依存しないことが分かった。
Cu
Oy irradiated with energetic ions at low temperature石川 法人; 知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 鶴 浩二*; 道上 修*
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 504, p.171 - 175, 1998/00
高温超伝導体EuBaCuOyに100Kにおいてあらゆるイオン(Cl,Ni,Br,I,90-200MeV)を照射し、電気抵抗率の照射量依存性をその場測定した。その結果、Cl,Niイオン照射した時には、抵抗率は、照射量の増加に伴い飽和傾向を示し、Br,I照射の時には、発散傾向を示した。これらの曲線の違いを、試料に導入された粒状の抵抗率の高い領域を仮定することによって、統一的に説明することができた。
